|
|
SI7461DP-T1-E3Артикул: 483396 Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PowerPAK® SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -60А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 190нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 3,4Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 19мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -11,5А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 60В, -11, 5А, Idm: -60А