SI4497DY-T1-GE3 Артикул: 283649 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2398 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 11 29 100 Без НДС: 145.76 грн. 121.57 грн. 108.84 грн. 85.93 грн. 81.47 грн. 80.84 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	90нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	3,3мОм; 3.3мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-29А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -29А, 5Вт, SO8