|
|
SI3458BDV-T1-GE3Артикул: 406742 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1429 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | TSOP6 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 10А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 11нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2,1Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 100мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 3,2А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET