SI2374DS-T1-GE3 Артикул: 250636 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,7А; 1,1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1965 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 96 263 500 Без НДС: 21.26 грн. 17.76 грн. 13.18 грн. 9.29 грн. 8.78 грн. 8.47 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	7,7нC; 7.7нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.1Вт
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,041Ом; 0.041Ом; 41мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4,7А; 4.7А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,7А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 4, 7А, 1, 1Вт, SOT23.