(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

Артикул: 283632


Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23.

Производитель: VISHAY


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1 		Кол-во:
2535


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 44 119 1000
Без НДС: 44.62 грн. 32.53 грн. 20.50 грн. 19.41 грн. 19.03 грн.
Корпус: SOT23
Производитель: VISHAY
#Promotion: vishay_201906
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 11,8нC;
11.8нC;
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±5В
Напряжение сток-исток: -8В
Полярность: полевой
Потери мощности: 1,6Вт;
1.6Вт;
Сопротивление в открытом состоянии: 0,03Ом;
0.03Ом;
30мОм;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -6А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -8В, -6А, 1, 6Вт, SOT23