(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Артикул: 283631


Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,1Вт; SOT23.

Производитель: VISHAY


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1 		Кол-во:
1398


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 52 143 500 1000
Без НДС: 43.92 грн. 32.78 грн. 24.31 грн. 17.12 грн. 16.17 грн. 15.66 грн. 15.59 грн.
Корпус: SOT23
Производитель: VISHAY
#Promotion: vishay_201906
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 13,6нC;
13.6нC;
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±8В
Напряжение сток-исток: -20В
Полярность: полевой
Потери мощности: 1,1Вт;
1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии: 0,068Ом;
0.068Ом;
68мОм;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -3,8А;
-3.8А;
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -3, 8А, 1, 1Вт, SOT23