(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Артикул: 0819296


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1855


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 38 104 3000
Без НДС: 49.84 грн. 42.15 грн. 32.90 грн. 24.17 грн. 22.80 грн. 22.61 грн.
Корпус: SOT23
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -12А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 17нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: -40В
Полярность: полевой
Потери мощности: 0,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 0,13Ом
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -2,4А
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD