|
|
SI1308EDL-T1-GE3Артикул: 406702 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 17 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||
| Корпус: | SC70 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 6А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 4,1нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±12В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,3Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 132мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 1,4А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET