SI1022R-T1-GE3 Артикул: 270499 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 3230 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 65 177 3000 Без НДС: 29.90 грн. 25.06 грн. 21.44 грн. 13.80 грн. 13.04 грн. 12.59 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SC75A
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	0,6нC; 0.6нC;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,13Вт; 0.13Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	1,25Ом; 1.25Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,24А; 0.24А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0, 24А, 0, 13Вт, SC75A.