P8F50HP2-5600 Артикул: 474646 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 107 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 29 78 500 Без НДС: 50.25 грн. 40.58 грн. 36.57 грн. 31.17 грн. 29.90 грн. 29.00 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	32А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	15нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	65Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 8А, Idm: 32А, 65Вт