P8F28HP2-5600 Артикул: 474645 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 280В; 8А; Idm: 32А. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 82 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 24 25 100 Без НДС: 45.16 грн. 40.58 грн. 37.53 грн. 35.81 грн. 34.35 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	32А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	9,8нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	280В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	52,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	500мОм
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 280В; 8А; Idm: 32А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 280В, 8А, Idm: 32А