P6F50HP2-5600 Артикул: 474479 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 6А; Idm: 24А. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 160 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 27 72 500 Без НДС: 50.25 грн. 43.89 грн. 39.50 грн. 33.71 грн. 31.80 грн. 31.36 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	24А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	15нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,35Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	6А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 6А; Idm: 24А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 6А, Idm: 24А