P4F60HP2-5600 Артикул: 474418 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 468 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 27 74 Без НДС: 50.89 грн. 45.54 грн. 40.90 грн. 33.08 грн. 31.17 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	16А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	12,5нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,8Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 4А, Idm: 16А