P3F60HP2-5600 Артикул: 474399 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 3А; Idm: 12А. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 83 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 30 82 2500 Без НДС: 55.34 грн. 38.29 грн. 29.77 грн. 28.18 грн. 27.35 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	12А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	10нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	52,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	2,3Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 3А; Idm: 12А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 3А, Idm: 12А