|
|
P1B52HP2-5071Артикул: 474264 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 1А; Idm: 4А; 35Вт. Производитель: SHINDENGEN |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | FB (TO252AA) |
| Производитель: | SHINDENGEN |
| Pulsed drain current: | 4А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 4,3нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 520В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 35Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 7,2Ом |
| Технология: | Hi-PotMOS2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 1А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 1А; Idm: 4А; 35Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 520В, 1А, Idm: 4А, 35Вт