P10F60HP2-5600 Артикул: 474226 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 10А; Idm: 40А; 85Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 226 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 17 45 500 Без НДС: 73.15 грн. 66.15 грн. 54.07 грн. 51.52 грн. 50.89 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	40А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	23нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	85Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	800мОм
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	10А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 10А; Idm: 40А; 85Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 10А, Idm: 40А, 85Вт