P0R5B60HP2-5071 Артикул: 474215 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2969 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 25 59 163 Без НДС: 41.98 грн. 33.27 грн. 24.81 грн. 23.22 грн. 15.01 грн. 14.18 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FB (TO252AA)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	2А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	4,3нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	35Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	10Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	500мА
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 500мА, Idm: 2А