|
|
SH8KC6TB1Артикул: 706590 Транзистор: N-MOSFET x2. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 20 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SOP8 |
| Производитель: | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 26А |
| Версия: | ESD |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 7,6нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 46мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: | 6,5А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2.
Теги: Транзисторы многоканальные, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET x2