SEMIX151GD12E4S 27890200 Артикул: 0837250 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT. Производитель: SEMIKRON DANFOSS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 4 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 16 Без НДС: 12 526.47 грн. 12 265.87 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SEMIX®13
Производитель:	SEMIKRON DANFOSS
Конструкция диода:	транзистор/транзистор
Механический монтаж:	винтами
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Обратное напряжение макс.:	1,2кВ
Применение:	для UPS; инвертор; фотоэлектрика;
Тип полупроводникового модуля:	IGBT
Ток коллектора:	150А
Ток коллектора в импульсе:	450А
Топология:	3-фазный мост IGBT; термистор;
Электрический монтаж:	Press-Fit; винтами;
PDF:

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT.

Теги: Модули IGBT, SEMIKRON DANFOSS, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, 3-фазный мост IGBT