RU1C001ZPTL Артикул: 503956 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: 0,4А; 200мВт. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 55 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 100 407 1119 3000 Без НДС: 16.21 грн. 8.84 грн. 3.88 грн. 2.25 грн. 2.14 грн. 2.13 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT323F
Производитель:	ROHM SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	-0,4А
Версия:	ESD
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±10В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	6,8Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-100мА
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: 0,4А; 200мВт.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -100мА, Idm: 0, 4А, 200мВт