|
|
RQ3E120ATTBАртикул: 706258 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2943 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | HSMT8 |
| Производитель: | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | -48А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 62нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 20Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 11,3мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -39А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: P-MOSFET