|
|
RQ3E100BNTBАртикул: 705316 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 126 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | HSMT8 |
| Производитель: | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 40А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 22нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 15Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
15,3мОм; 15,3мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 21А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET