RK7002BMT116 Артикул: 496696 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 20	Кол-во: 2905 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 100 455 1250 3000 Без НДС: 8.90 грн. 6.36 грн. 5.41 грн. 3.89 грн. 3.35 грн. 1.95 грн. 1.84 грн. 1.77 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	ROHM SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	1А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	200/350мВт
Сопротивление в открытом состоянии:	2,4Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	250мА
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 250мА, Idm: 1А, 200/350мВт