|
|
BSS84AHZGT116Артикул: 706324 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2122 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: |
-0,92А; -0,92А; |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,35Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 6,4Ом |
| Технология: | Trench |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -0,23А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: P-MOSFET