(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A

Артикул: 0204552


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK, TO252AA.

Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1438


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 22 50 60 100
Без НДС: 79.29 грн. 62.80 грн. 55.18 грн. 42.28 грн. 41.18 грн. 39.94 грн. 38.44 грн.
Корпус: DPAK
Производитель: ONSEMI
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 15нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±16В
Напряжение сток-исток: 60В
Полярность: полевой
Потери мощности: 49Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 75мОм
Технология: UltraFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока:
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK, TO252AA.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD