RE1C001ZPTL Артикул: 663353 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1867 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 100 404 1112 Без НДС: 14.55 грн. 12.11 грн. 10.59 грн. 6.05 грн. 2.27 грн. 2.15 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SC89
Производитель:	ROHM SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	-0,4А
Версия:	ESD
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±10В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	3,8Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,1А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0, 1А, Idm: -400мА, 0, 15Вт