|
|
QS5U13TRАртикул: 478697 Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT25T |
| Производитель: | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 8А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 3,9нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±12В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 900мВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 100мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET + Schottky |
| Ток стока: | 2А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky, полевой, 30В, 2А, Idm: 8А, 900мВт