Транзисторы с каналом N SMD
|
FDT86102LZ Артикул: 199586 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,6А; 2,2Вт; SOT223. Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 4000 Минимальный заказ позиции: 4000 |
Остаток: 0 |
|
|
FQB34N20LTM Артикул: 200102 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 20А; 180Вт; D2PAK; QFET®. Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 800 Минимальный заказ позиции: 800 |
Остаток: 0 |
|
|
FQD13N10TM Артикул: 200114 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK; QFET®. Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
FDS86242 Артикул: 390926 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FDS8638 Артикул: 390927 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FDT86106LZ Артикул: 390936 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 4000 Минимальный заказ позиции: 4000 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FQB44N10TM Артикул: 390955 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FQB4N80TM Артикул: 390956 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FQD5N60CTM Артикул: 390963 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FQT1N80TF-WS Артикул: 390979 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 4000 Минимальный заказ позиции: 4000 |
Остаток: 0 |
|
|
G2R1000MT33J Артикул: 455851 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
|
Кратность заказа позиции: 1000 Минимальный заказ позиции: 1000 |
Остаток: 0 |
|
|
G2R120MT33J Артикул: 455852 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
|
Кратность заказа позиции: 250 Минимальный заказ позиции: 250 |
Остаток: 0 |
|
|
G3R160MT12J Артикул: 455893 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 100 |
Остаток: 0 |
|
|
G3R40MT12J Артикул: 455905 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 100 |
Остаток: 0 |
|
|
G3R75MT12J Артикул: 455912 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 100 |
Остаток: 0 |
|
|
|
FQD2N90TM Артикул: 537399 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ONSEMI |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GPT65Z4YMR Артикул: 823095 Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; каскодный; 650В; 11,5А. Производитель: MGT BRIGHTEK |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GPT65C0YME Артикул: 823122 Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; каскодный; 650В; 6А. Производитель: MGT BRIGHTEK |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN190-650EBEZ Артикул: 858697 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN7R0-150LBEZ Артикул: 858698 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 150В; 28А; Idm: 120А; 28Вт. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN190-650FBEZ Артикул: 858699 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN3R2-100CBEAZ Артикул: 858702 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 1500 Минимальный заказ позиции: 1500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN140-650FBEZ Артикул: 858703 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN140-650EBEZ Артикул: 858705 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|
|
|
GAN080-650EBEZ Артикул: 858708 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт. Производитель: NEXPERIA |
|
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Остаток: 0 |
|