|
|
ZXMN4A06KTCАртикул: 278995 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10,9А; 4,2Вт; DPAK. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DPAK |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
4,2Вт; 4.2Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,05Ом; 50мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
10,9А; 10.9А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10,9А; 4,2Вт; DPAK.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 10, 9А, 4, 2Вт, DPAK