|
|
YJQ35G10AАртикул: 490979 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DFN3.3x3.3 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 120А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 20нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 54Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 20мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 35А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 35А, Idm: 120А, 54Вт