|
|
YJG53G06AАртикул: 279918 Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 34А; 30Вт. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DFN5060-8 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 160А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 31нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 30Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 12мОм |
| Технология: | SPLIT GATE TRENCH |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 34А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 34А; 30Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 34А, 30Вт