STN1HNK60 Артикул: 246870 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,4А; 3,3Вт; SOT223. Производитель: ST MICROELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 4813 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 20 50 69 190 Без НДС: 80.33 грн. 59.45 грн. 53.79 грн. 47.17 грн. 12.86 грн. 12.09 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223
Производитель:	ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics;
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	3.3Вт
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	3,3Вт; 3.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	8500мОм
Технология:	SuperMesh™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,4А; 0.4А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,4А; 3,3Вт; SOT223.

Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0, 4А, 3, 3Вт, SOT223.