SQ2364EES-T1_GE3 Артикул: 278949 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1992 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 39 105 Без НДС: 46.78 грн. 36.22 грн. 31.19 грн. 23.17 грн. 21.96 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Заряд затвора:	2нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,245Ом; 0.245Ом; 245мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,3А; 1.3А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1, 3А, 1Вт, SOT23