SI2306BDS-T1-E3 Артикул: 252070 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2002 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 43 50 119 Без НДС: 32.02 грн. 22.47 грн. 20.62 грн. 20.43 грн. 19.48 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	4,5нC; 4.5нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.8Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,8Вт; 0.8Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,065Ом; 0.065Ом; 65мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,5А; 3.5А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3, 5А, 0, 8Вт, SOT23.