|
|
IXTY1R4N120PАртикул: 300578 Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 86Вт; TO252; 900нс. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 3А |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 900нс |
| Заряд затвора: | 24,8нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 86Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 13Ом |
| Технология: | Polar™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 1,4А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | standard power mosfet |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 86Вт; TO252; 900нс.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1, 2кВ, 86Вт, TO252, 900нс