|
|
IXTT10N100DАртикул: 300517 Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 1А; 400Вт; TO268; 100нс. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO268 |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 20А |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 850нс |
| Заряд затвора: | 130нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 400Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 1,4Ом |
| Тип канала: | обедненный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 10А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 1А; 400Вт; TO268; 100нс.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1кВ, 1А, 400Вт, TO268, 100нс