IRLL024ZTRPBF Артикул: 289488 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2027 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 32 50 87 100 500 Без НДС: 30.30 грн. 28.13 грн. 27.43 грн. 26.61 грн. 25.91 грн. 25.65 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Pulsed drain current:	40А
Вид упаковки:	бобина
Заряд затвора:	11нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±16В
Напряжение сток-исток:	55В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	60мОм
Технология:	HEXFET®
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 4А, Idm: 40А, 1Вт, SOT223