IRF9393TRPBFАртикул: 251554 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,3А; 1,6Вт; SO8. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 4061 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 25нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 1.6Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±25В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,6Вт; 1.6Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
19,4мОм; 19.4мОм; |
| Технология: | HEXFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-7,3А; -7.3А; |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,3А; 1,6Вт; SO8.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -7, 3А, 1, 6Вт, SO8.

