|
|
IRF1010ESTRLPBFАртикул: 402852 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 273 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 330А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 200Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 12мОм |
| Технология: | HEXFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 59А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET