|
|
IPT60R022S7XTMA1Артикул: 379721 Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; полевой; 600В; 23А; Idm: 375А. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 2000 Минимальный заказ позиции: 2000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-HSOF-8 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 375А |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 31нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 390Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 22мОм |
| Технология: | CoolMOS™ S7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 23А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; полевой; 600В; 23А; Idm: 375А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, CoolMOS™ S7, полевой, 600В, 23А, Idm: 375А