IPN50R800CEATMA1 Артикул: 251440 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2896 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 27 75 500 Без НДС: 50.16 грн. 40.16 грн. 36.28 грн. 32.84 грн. 31.00 грн. 30.81 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-SOT223
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	12,4нC; 12.4нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	5Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,8Ом; 800мОм;
Технология:	CoolMOS™ CE
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4,8А; 4.8А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 4, 8А, 5Вт, PG-SOT223.