|
|
IPB80N06S405ATMA2Артикул: 463119 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1000 Минимальный заказ позиции: 1000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO263-3-2 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 320А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 81нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 107Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 5,4мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 75А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 75А, Idm: 320А, 107Вт