|
|
PJD35P03_L2_00001Артикул: 0820443 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: PanJit Semiconductor |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2503 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | TO252AA |
| Производитель: | PanJit Semiconductor |
| Pulsed drain current: | -140А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 11нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 35Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 30мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -35А |
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, PanJit Semiconductor, Транзистор: P-MOSFET