|
|
PJT7800_R1_00001Артикул: 0820225 Транзистор: N-MOSFET x2. Производитель: PanJit Semiconductor |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 5978 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SOT363 |
| Производитель: | PanJit Semiconductor |
| Pulsed drain current: | 4А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 1,6нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,35Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 0,4Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: | 1А |
Транзистор: N-MOSFET x2.
Теги: Транзисторы многоканальные, PanJit Semiconductor, Транзистор: N-MOSFET x2