|
|
PJT7600_R1_00001Артикул: 0820500 Транзистор: N/P-MOSFET. Производитель: PanJit Semiconductor |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2685 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SOT363 |
| Производитель: | PanJit Semiconductor |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
1,6/2,2нC; 1,6/2,2нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20/-20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,35Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
400/600мОм; 400/600мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: |
1А/-700мА; 1А/-700мА; |
Транзистор: N/P-MOSFET.
Теги: Транзисторы многоканальные, PanJit Semiconductor, Транзистор: N/P-MOSFET