|
|
BSS123_R1_00001Артикул: 0820150 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: PanJit Semiconductor |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 107 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | PanJit Semiconductor |
| Pulsed drain current: | 0,68А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 1,8нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,5Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 10Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 0,17А |
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, PanJit Semiconductor, Транзистор: N-MOSFET