P82F7R5SN-5600 Артикул: 474634 Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 7 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 27 Без НДС: 130.39 грн. 117.67 грн. 92.87 грн. 87.78 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	328А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	168нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	75В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	58Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	3,8мОм
Технология:	EETMOS3
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	82А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 75В, 82А, Idm: 328А, 58Вт