P7F60HP2-5600 Артикул: 474623 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 426 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 21 25 100 Без НДС: 49.61 грн. 44.52 грн. 43.25 грн. 40.07 грн. 38.80 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	28А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	19нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	79Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,05Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	7А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 7А, Idm: 28А, 79Вт