P66F7R5SN-5600 Артикул: 474474 Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 45 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 14 39 Без НДС: 88.41 грн. 79.51 грн. 64.24 грн. 60.43 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	264А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	115нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	75В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	51Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	5мОм
Технология:	EETMOS3
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	66А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 75В, 66А, Idm: 264А, 51Вт