P5F60HP2-5600 Артикул: 474433 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 41 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 70 100 Без НДС: 41.98 грн. 37.78 грн. 33.39 грн. 33.08 грн. 31.29 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	20А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	15нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	65Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,4Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	5А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 5А, Idm: 20А, 65Вт